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東芝推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFET“SSM6N813R
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東京--東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFET“SSM6N813R”，該產(chǎn)品適用于需要耐高電壓和小尺寸的汽車應(yīng)用，包括LED前照燈驅(qū)動(dòng)器IC。量產(chǎn)出貨將于四月啟動(dòng)。.


100V的最大漏源極電壓（VDSS）可確保SSM6N813R適用于需要多個(gè)LED的前照燈應(yīng)用，高抗靜電能力為此提供支持。SSM6N813R采用最新工藝制造，使用 TSOP6F封裝，具備1.5W的允許功耗和低導(dǎo)通電阻。此外，TSOP6F的封裝尺寸比SOP8封裝小70%。

應(yīng)用場(chǎng)合

汽車LED前照燈驅(qū)動(dòng)器

特點(diǎn)

    小型封裝
    高靜電保護(hù)等級(jí)
    低RDS（ON）

主要規(guī)格
 

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