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中國，北京　2018年3月7日 — Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關(guān)頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設(shè)計(jì)旨在提高設(shè)計(jì)可靠性，同時減少創(chuàng)建額外原型的需求，為電源轉(zhuǎn)換和儲能客戶節(jié)省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估板。

新評估板可用作更復(fù)雜拓?fù)洌ɡ缛珮蚧蚨嚯娖睫D(zhuǎn)換器）的構(gòu)建模塊，以便對客戶解決方案進(jìn)行完整的工作臺調(diào)試。它還可用作最終評估平臺或用在類似轉(zhuǎn)換器的配置中，以全面測試和評估ADI公司采用iCoupler?數(shù)字隔離技術(shù)的ADuM4135隔離柵極驅(qū)動器和高功率系統(tǒng)中的LT3999 DC-DC驅(qū)動器。

該高功率評估板使得Microsemi的SiC功率模塊能夠提供諸多優(yōu)勢，例如：通用測試臺，提供更高功率密度以縮減尺寸和成本，通過隔離導(dǎo)電襯底和最小寄生電容實(shí)現(xiàn)更高的效率、性能和出色的熱管理。這些特性使該評估板適合很多應(yīng)用，包括電動汽車(EV)充電、混合動力汽車(HEV)/EV車載充電、DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源、高功率電機(jī)控制和航空作動器系統(tǒng)、等離子/半導(dǎo)體制造設(shè)備、激光和焊接、MRI和X光設(shè)備。

產(chǎn)品聚焦

• 半橋拓?fù)?/p>

• 1200 V、50 A @ 200 kHz

• >100 kV/μs CMTI

• 1.2 kV電氣隔離

• 獨(dú)立的高端和低端PWM輸入（單一控制，70 ns死區(qū)用于測試）

• 1 LT3999 + 1 ADuM4135（高端和低端）

• 全面測試的去飽和保護(hù)

• 用于V+、V-和AC相位連接的低電感和高電流端子

• 支持標(biāo)準(zhǔn)SP1封裝的Microsemi半橋SiC功率模塊，即APTMC120AM20CT1AG和APTMC120AM55CT1AG