12月4日，記者從英利集團了解到，該公司牽頭主編的《太陽能級多晶硅片、硅錠晶體缺陷密度測定方法》國家標(biāo)準(zhǔn)順利進入報批階段，預(yù)計2018年發(fā)布，將填補國內(nèi)多晶硅片、硅錠晶體缺陷密度測試方法的空白。下面就隨電源管理小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
據(jù)了解，國家標(biāo)準(zhǔn)《太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法》是采用酸性混合液對硅片表面進行化學(xué)拋光，再使用腐蝕液對硅片進行化學(xué)腐蝕，硅晶體缺陷被優(yōu)先腐蝕并顯現(xiàn)出來，通過對不同位置的硅錠取樣片，測量得到不同部位硅片樣片的晶體缺陷密度，其最終結(jié)果可以表征硅錠的晶體缺陷密度。
近年來，英利集團大力實施標(biāo)準(zhǔn)化戰(zhàn)略，高度重視標(biāo)準(zhǔn)化工作，已經(jīng)主持制定和參與制定IEC標(biāo)準(zhǔn)、國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等各類標(biāo)準(zhǔn)共計77項，主持制定和參與制定標(biāo)準(zhǔn)總數(shù)量位居光伏行業(yè)前列。
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