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    原標題：中國三大存儲芯片企業(yè)預計下半年試產(chǎn)，明年將是存儲芯片生產(chǎn)元年

　　中興被美國切斷核心部件、軟件和技術(shù)供應一事，引發(fā)社會對中國芯片行業(yè)的熱切關(guān)注。

　　產(chǎn)業(yè)研究分析機構(gòu)集邦科技（TrendForce）4月19日指出，中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動存儲芯片的合肥長鑫以及致力于普通存儲芯片的晉華集成三大企業(yè)為主。以目前三家廠商的進度來看，試產(chǎn)時間預計將在2018年下半年，量產(chǎn)時間可能都在2019年上半年，這預示著2019年將成為中國存儲芯片生產(chǎn)元年。

　　集邦科技旗下的存儲芯片研究機構(gòu)DRAMeXchange表示，從這三大企業(yè)目前布局進度來看，合肥長鑫的廠房已于去年6月封頂完工，去年第三季開始搬入測試用機臺。合肥長鑫目前進度與晉華集成大致相同，計劃將在今年第三季試產(chǎn)，量產(chǎn)則暫定在2019年上半年，進程比預期延后。此外，由于合肥長鑫直接進攻三大DRAM廠（三星、SK海力士和美光）最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb，后續(xù)面臨專利爭議的可能性較高，為避免這一狀況，除了積極積累專利之外，初期可能將鎖定在中國市場銷售。

　　反觀專注于普通存儲芯片的晉華集成，在2016年7月宣布在福建省晉江市建設(shè)12英寸晶元廠，投資金額約53億美元，以目前進度來看，其普通存儲芯片的試產(chǎn)延后至今年第三季度，計劃在明年上半年量產(chǎn)。

　　此外，從中國廠商NAND Flash的發(fā)展進程來看，2016年12月底，由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動工，計劃分三個階段，共建三座3D-NAND Flash廠房。第一階段的廠房已去年9月完成建設(shè)，預計2018年第三季度開始搬入機臺，第四季進行試產(chǎn)，初期投片量不超過1萬片，用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品，并預計在自家的64層技術(shù)成熟后，再視情況擬定第二、第三期的生產(chǎn)計劃。

　　DRAMeXchange指出，觀察中國存儲芯片廠商的研發(fā)與產(chǎn)出計劃，2019年將是中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年，但也由于兩家DRAM廠預估初期量產(chǎn)規(guī)模并不大，短期難以撼動全球市場現(xiàn)有格局。無論是DRAM還是NAND產(chǎn)品，各家都是初試啼聲，相比耕耘多年的存儲芯片大廠面臨更多挑戰(zhàn)，因此也不排除中國存儲芯片廠量產(chǎn)時間比預期延后的可能性。

　　長期來看，隨著中國存儲芯片產(chǎn)品逐步成熟，預計2020-2021年兩家DRAM廠商現(xiàn)有工廠將逐步滿產(chǎn)，在最樂觀的預估下，屆時兩家合計約有每月25萬片的投片規(guī)模，可能將開始影響全球DRAM市場的供給。另一方面，長江存儲計劃設(shè)有三座廠房，總產(chǎn)能可能高達每月30萬片，不排除長江存儲完成64層產(chǎn)品開發(fā)后，可能將進行大規(guī)模的投產(chǎn)，進而在未來三到五年對NAND Flash的供給產(chǎn)生重大影響。